Китай Электронный обломок IC производитель

Самое лучшее обслуживание, самый лучший обломок

Поставка Китая самая большая универсальная компонентов

Russian
Спросите цитату
Продукты

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Основная информация
Фирменное наименование: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Номер модели: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Количество мин заказа: 1 часть
Время доставки: 2~8 трудодней
Условия оплаты: T/T
Лучшая цена Контакт
Бренд: Технологии Infineon/международный выпрямитель тока IOR Сертификат: /
Модель: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF MOQ: 1 ПК
Цена: Negotiated Доставка: 2~8 трудодней
Оплата: T/T
Высокий свет:

Mosfet силы FET HEXFET

,

Mosfet силы IRFB7440PBF HEXFET

,

IRFB4310PBF

Характер продукции

 

MOSFETs FETs транзисторов TO-220AB HEXFET IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

 

N-канал 180A 200W транзисторов через MOSFETs FETs отверстия TO-220AB HEXFET

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

 

Описание:
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.

N-канал 180A (Tc) 200W (Tc) через спецификацию отверстия TO-220AB:

Категория
Дискретные продукты полупроводника
　
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Mfr
Технологии Infineon
Серия
HEXFET®
Пакет
Трубка
Тип FET
N-канал
Технология
MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)
40 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)
10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @
4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
150 nC @ 10 v
Vgs (Макс)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
4340 pF @ 25 v
Особенность FET
-
Диссипация силы (Макс)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип
Через отверстие
Пакет прибора поставщика
TO-220AB
Пакет/случай
TO-220-3
Низкопробный номер продукта
IRF1404

 

тег:

Дискретные полупроводниковые устройства H30R1602,

IRFB4310PBF,

Полупроводниковые устройства силы IGBT дискретные

Контактная информация
Больше Дискретные полупроводниковые устройства
Китай хороший качество Электронный обломок IC поставщик. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.