Транзистор полупроводниковых устройств IHW30N160R2 IGBT силы H30R1602 дискретный

Характер продукции

Серия переключения IC IHW30N160R2FKSA1 полупроводников силы серии переключения транзисторов H30R1602 IHW30N160R2 IGBTs мягкая мягкая

Применения:
• Индуктивный варить
• Мягкие переключая применения

Описание:

Обратный проводя (RC-) IGBT TrenchStop® с монолитовым диодом тела
Особенности:
• Сильный монолитовый диод тела с очень низким пропускным напряжением
• Диод тела зажимает отрицательные напряжения тока
• Технология канавы и Fieldstop для 1600 предложений применений v:
- очень плотное распределение параметра
- высокая пересеченность, поведение температуры стабилизированное
• Технология NPT предлагает возможность легкой параллели переключая должную к
положительный коэффициент температуры в VCE (сидел)
• Низкий EMI
• Квалифицированный согласно JEDEC1
для применений цели
• Pb свободная от плакировка руководства; RoHS уступчивое

Спецификация: IGBT NPT, диафрагма поля зрения 1600 v 60 a 312 w канавы до отверстие PG-TO247-3-1