Китай Электронный обломок IC производитель

Самое лучшее обслуживание, самый лучший обломок

Поставка Китая самая большая универсальная компонентов

Russian
Спросите цитату
Продукты

Mosfets силы полупроводниковых устройств SIHF10N40D-E3 транзистора канала n дискретные

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
Основная информация
Фирменное наименование: Vishay Semiconductor
Номер модели: SIHF10N40D-E3
Количество мин заказа: 1 часть
Время доставки: 2~8 трудодней
Условия оплаты: T/T
Лучшая цена Контакт
Бренд: Полупроводник Vishay Сертификат: /
Модель: SIHF10N40D-E3 MOQ: 1 ПК
Цена: Negotiated Доставка: 2~8 трудодней
Оплата: T/T
Высокий свет:

Полупроводниковые устройства канала n дискретные

,

Дискретные полупроводниковые устройства EAR99

,

SIHF10N40D-E3

Технические данные продукта

Mosfets силы полупроводников SIHF10N40D-E3 транзистора канала n дискретные

 

 

ЕС RoHS Уступчивый
ECCN (США) EAR99
Состояние части Активный
HTS 8541.29.00.95
Автомобильный Никакой
PPAP Никакой
Категория продукта MOSFET силы
Конфигурация Одиночный
Режим канала Повышение
Тип канала N
Количество элементов в обломок 1
Максимальное напряжение тока источника стока (v) 400
Максимальное напряжение тока источника ворот (v) ±30
Максимальное напряжение тока порога ворот (v) 5
Максимальное непрерывное течение стока (a) 10
Максимальное течение утечки источника ворот (nA) 100
Максимальное IDSS (uA) 1
Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) 600@10V
Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC) 15@10V
Типичная обязанность @ 10V ворот (nC) 15
Типичная входная емкость @ Vds (pF) 526@100V
Максимальная диссипация силы (mW) 33000
Типичное время падения (ns) 14
Типичное время восхода (ns) 18
Типичное время задержки поворота- (ns) 18
Типичное время задержки включения (ns) 12
Минимальная рабочая температура (°C) -55
Максимальная рабочая температура (°C) 150
Пакет поставщика TO-220FP
Отсчет Pin 3
Имя стандартного пакета TO-220
Установка Через отверстие
Высота пакета 16,12 (Макс)
Длина пакета 10,63 (Макс)
Ширина пакета 4,83 (Макс)
PCB изменил 3
Плата Плата
Форма руководства Через отверстие
Номер детали SIHF10N40D-E3
Низкопробный номер детали SIHF10N40
ЕС RoHS Уступчивый с освобождением
ECCN (США) EAR99
Состояние части Активный
HTS 8541.29.00.95
 

тег:

Дискретные полупроводниковые устройства H30R1602,

IRFB4310PBF,

Полупроводниковые устройства силы IGBT дискретные

Контактная информация
Больше Дискретные полупроводниковые устройства
Китай хороший качество Электронный обломок IC поставщик. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.