Китай Электронный обломок IC производитель

Самое лучшее обслуживание, самый лучший обломок

Поставка Китая самая большая универсальная компонентов

Russian
Спросите цитату
Продукты

полупроводниковые устройства 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A дискретные

900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
Основная информация
Фирменное наименование: INFINEON
Номер модели: IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Количество мин заказа: 1 часть
Время доставки: 2~8 трудодней
Условия оплаты: T/T
Лучшая цена Контакт
Бренд: Infineon Сертификат: /
Модель: IRF1404PBF IRF1404ZPBF MOQ: 1 ПК
Цена: Negotiated Доставка: 2~8 трудодней
Оплата: T/T
Высокий свет:

Дискретные полупроводниковые устройства 06N90E

,

Полупроводниковые устройства FMV06N90E дискретные

,

FMH06N90E

Характер продукции

 

Полупроводники 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E дискретные

 

MOSFET силы N-канала IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V одиночный в пакете TO-220

О IRF1404PBF:

 

Сводка особенностей
MOSFET силы N-канала IRF1404 40V одиночный в пакете TO-220
Плоскостная клеточная структура для широкого SOA
Оптимизированный для самого широкого наличия от партнеров распределения
Квалификация продукта согласно стандарту JEDEC
Пакет силы поверхност-держателя индустриального стандарта
Сильнотоковая оценка

 

Преимущества:

Увеличенная пересеченность
совместимость Мульти-поставщика
Уровень квалификации индустриального стандарта
Стандартное pinout учитывает падение в замене
Сильнотоковая возможность нося

Технические данные продукта

Parametrics IRF1404
ID (@25°C) максимальный 202 a
Установка THT
Ptot максимальное 200 w
Пакет TO-220
Полярность N
QG (тип @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (дальше) (@10V) максимальный mΩ 4
RthJC максимальное 0,75 K/W
Особенности Широкое SOA
Tj максимальное °C 175
VDS максимальное 40 v
Минута VGS (th) максимальная 3 V 2 V 4 V
VGS максимальное 20 v

 

тег:

Дискретные полупроводниковые устройства H30R1602,

IRFB4310PBF,

Полупроводниковые устройства силы IGBT дискретные

Контактная информация
Больше Дискретные полупроводниковые устройства
Китай хороший качество Электронный обломок IC поставщик. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.